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[新资讯] 杭州芯火壹号HX001阻变存储芯片发布:150℃下可保存10年

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Lacy 发表于 2021-12-22 10:07:28 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 Lacy 于 2021-12-22 10:14 编辑



  近日,杭州国家"芯火"平台宣布,其第一颗芯片——超大窗口阻变随机存储器芯片正式诞生,命名"杭州芯火壹号"HX001。

  该芯片由杭州国家"芯火"双创平台、浙江大学微纳电子学院协同开发完成,其中阻变器件选择插层结构,采用双层或多层的插层结构来固定导电细丝在电极、插层和阻变层界面处的位置。

  制备Pd/Al2O3/HfO2/NiOx/Ni结构,可有效地减少阻变器件的阻变参数的离散性。

  具有Pd/Al2O3/HfO2/NiOx/Ni结构的阻变器件不需要Forming操作,从而有效提高忆阻器的窗口,存储窗口可大于106,并减少了对器件的后端集成。

  同时,采用十字交叉阵列将单元面积做到40F2,大大提高了阻变器件的集成密度。

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  经过功能和性能检测,HX001芯片的工作电压小于5V;所读取的忆阻器阻值窗口远大于106;在150℃环境下,分别在1s、30s、100s、300s、1000s、3000s时加约0.1V小电压,对忆阻器进行数据保持特性测试,忆阻器均能保持电阻阻值稳定。

  根据模型外推,忆阻器所存储的数据可在150℃环境温度下保持10年以上,忆阻器单元面积小于40F2。

  目前,HX001芯片已经多家单位评测试用,用户均认为该芯片产品具有较好的存储特性和可靠性,优于市场同类产品,具有较好的市场应用前景。

  项目已申请一项国家发明专利。

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  科普:什么是忆阻器?

  忆阻器(Memoristor)是表示磁通与电荷关系的电路器件。阻变式存储器(RRAM)是以非导性材料的电阻在外加电场作用下,在高阻态和低阻态之间实现可逆转换为基础的非易失性存储器。

  作为阻变式存储器芯片一个重要的电子元件,忆阻器的电阻会随外加电压的高低而变化。

  RRAM将比闪存更快记忆信息,消耗更少电力,占用更少空间。

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fudashuai 发表于 2022-1-2 12:00:22 | 显示全部楼层

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耐高温性能不错啊!
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