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[新资讯] SK 海力士率先开发出 HBM3 DRAM 内存:单片最高 24GB,819 GB/s 带宽

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ShuoShuRen 发表于 2021-10-20 10:41:52 | 显示全部楼层 |阅读模式

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  10 月 20 日消息,今日韩国 SK 海力士宣布,成功开发出业界第一款 HBM3 DRAM 内存芯片。该产品可以与 CPU、GPU 核心相邻封装在一起,采用多层堆叠工艺,实现远比传统内存条高的存储密度以及带宽。

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  目前 HBM DRAM 已经发展到了第四代,HBM3 进一步提升了单片容量以及带宽。海力士表示,2020 年 7 月便开始量产 HBM2E 内存,为全球首批量产这种芯片的企业。

  SK 海力士最新的 HBM3 芯片,单片最大容量可达 24GB,最高带宽达到了 819 GB/s,相比 HBM2E 提升了 78%.不仅如此,产品还支持片上 ECC 纠错,显着高了可靠性。

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  这款 HBM3 内存提供 16GB 和 24GB 两种类型,分别为 8 层和 12 层堆叠,每层容量 2GB.工程师将单片芯片的高度磨削至 30 微米厚,相当于 A4 纸的三分之一。然后,使用 TSV 硅通孔技术将这些芯片堆叠在一起,最终进行封装。

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  这款芯片可以用于高性能 CPU,或者专用计算加速卡,可以显着提高人工智能、机器学习运算的性能,有助于科学研究、药物开发、气候变化分析等。








原文链接:https://www.ithome.com/0/581/549.htm
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arskys 发表于 2021-10-21 17:12:13 | 显示全部楼层

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不明觉厉!下步上3进制运算!
caixuxu 发表于 2021-10-21 21:54:37 | 显示全部楼层

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不明觉厉!下步上3进制运算!
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