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[新资讯] 三星:正在开发 8 层 TSV 的 DDR5 内存模块,容量达 DDR4 两倍

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ShuoShuRen 发表于 2021-8-23 09:09:07 | 显示全部楼层 |阅读模式

IT天空 定制版高速U盘 128G | 固态U盘 256G Pro/512G Pro

  在 HotChips 33 大会上,三星确认正在开发具有 8 层 TSV(直通硅通孔)的 DDR5 内存模块,是 DDR4 内存容量的两倍。这意味着理论上,512GB 内存模块是可能实现的。

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  通过优化封装,三星的 DDR5 内存模块高度将低于 DDR4 4 层内存。由于管芯之间的间隙更小(减少 40%)以及通过实施薄晶圆处理技术,高度的降低成为可能。重要的是,8 层 TSV 模块将提供更好的散热。

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  三星预计 DDR5 内存将提供比 DDR4 提升 85% 的性能,提供高达 7.2 Gbps 的带宽,以及高达 512GB 的双倍容量。同时,新模块将具有更低的 1.1V 电压,提高电源效率。

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  三星表示,预计到 2023/2024 年能够向主流市场提供该 DDR5 内存,数据中心市场的产品将更快推出,计划在今年年底前生产 512GB 内存模块。








原文链接:https://www.ithome.com/0/570/844.htm
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roquwen 发表于 2021-8-24 08:52:03 | 显示全部楼层

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现在主板都忽略一个问题!就是南桥散热!!开机比任何一个零件都要热!直接62度
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