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[新资讯] X-NAND技术有望为QLC闪存带来SLC级别的性能

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MacArthur 发表于 2021-8-11 09:46:08 | 显示全部楼层 |阅读模式

IT天空 定制版高速U盘 128G | 固态U盘 256G Pro/512G Pro

  回顾过去十年的 SSD 发展史,可见固态硬盘的速度和性价比都变得越来越高。大约十年前,32GB / 64GB SSD 的价格可能高达 500 / 1100 美元。现如今,不到 150 美元就能买到 1TB 型号。然而随着一项被称作 X-NAND 的新技术的问世,这一趋势还将得到进一步的延续。

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  X-NAND 详细介绍(PDF)

  为了在每个存储单元塞入更多的数据位,闪存已从 1-bit 的 SLC,逐渐发展到了 2、3、4-bit 的 MLC / TLC / QLC 。

  此外还有 5-bit 的 PLC NAND 正在开发中,只是我们无法早于 2025 年见到它的身影。

  对于大多数网友来说,可能都知道 SLC NAND 闪存的速度和耐用性最佳,但成本也居高不下。

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  另一方面,尽管 TLC 和 QLC NAND 的速度相对较慢,但在 DRAM 和 SLC 缓存策略的加持下,其依然很适合用于制造更具成本效益的大容量 SSD 。

  有趣的是,由 Andy Hsu 在 2012 年成立的闪存设计与半导体初创企业 Neo Semiconductor,宣称能够借助全新的的 X-NAND 闪存技术来获得更高的性能与成本效益。

  早在去年的闪存峰会上,外媒就已经报道过 X-NAND 。不过直到本月,这家公司才被正式授予了两项关键专利。

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  X-NAND 的特点,是在单个封装中结合 SLC NAND 的性能优势、以及多 bit 的存储密度。

  与传统方案相比,X-NAND 可将闪存芯片的缓冲区大小减少多达 94%,使得制造商能够将每个芯片的平面数量,从 2-4 个大幅增加到 16-64 个。

  基于此,NAND 芯片可实现更高的读取和写入并行性能,进而甚至可提升 SLC NAND 的性能。

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  理论上,X-NAND 可将顺序读取速率提升至 QLC 的 27 倍、将顺序写入速率提升 15 倍、以及将随机读写性能提升 3 倍。

  同时得益于 NAND 芯片的更小、更低功耗,其制造成本也可控制到 QLC 相当。至于耐用性会有多大的改善,说起来就有些复杂了。即便如此,该公司还是声称会较传统 TLC / QLC 闪存有所改善。

  目前 Neo Semiconductor 正在寻求与三星、英特尔、美光、铠侠、西部数据、SK 海力士等 NAND 制造商建立合作伙伴关系。截止发稿时,该公司已拥有 22 项相关专利。










原文链接:https://www.cnbeta.com/articles/tech/1164343.htm
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月流辉 发表于 2021-8-12 10:38:12 | 显示全部楼层

活跃 224| 技术 0| 互助 0| 钻石 0

这里给各位读者稍微说一下,目前主流的 mlc  tlc  qlc
TLC  最主流   1000次读写寿命  价格适中
MLC  高端 理论是1W读写寿命 价格相对较高
QLC 成本低,同等体积存储容量比另外两种颗粒要大,但是只有200次读写寿命,不过一般也够用了,价格便宜
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