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[新资讯] Intel 144层QLC闪存被曝完成开发 PLC闪存规划中

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Lacy 发表于 2020-7-10 17:31:40 | 显示全部楼层 |阅读模式

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  最近几个月NAND闪存的价格又开始转跌了,厂商目前的主力是96层3D闪存,很快就要转向新一代100+层堆栈了。在96层之后,Intel的144层QLC闪存现在已经完成开发,预计下半年量产,同时还在规划新的PLC闪存。

  144闪存是Intel第四代3D闪存,此前三代分别是32层、64层、96层,这也是Intel与美光分手之后独立开发的新一代闪存,去年就已经曝光,将继续使用传统的FG浮栅极技术,该技术制造难度略高,但Intel简称其可靠性更好,比其他厂商的使用的CTP电荷肼技术更好一些。

  根据最新消息,Intel的144层QLC闪存已经完成开发,预计今年下半年正式量产,核心容量依然是1024Gbit,从这一点上看跟96层QLC闪存的1024Gbit核心容量相比没变化,不确定内部改进如何。

  144层QLC闪存预计很快就会用于消费级及企业级SSD硬盘中,2018年也是Intel/美光率先量产了第一代QLC闪存,用于660P、P1等SSD硬盘中。

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  按照之前的规划,今年底开始量产144层QLC闪存,预计2021年的SSD产品线就会全面转向144层QLC闪存了,这将会进一步降低闪存的成本,提高容量。

  除了QLC闪存之外,Intel还在开发PLC闪存,也就是5bit/cell,它理论上的容量比QLC闪存提升25%,进一步提高容量并降低存储成本,但是PLC闪存更复杂,可靠性及性能都会下降,一直争议不断,目前还没有一家NAND厂商宣布量产PLC的。














原文链接:https://www.cnbeta.com/articles/tech/1001715.htm
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