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[新资讯] 台积电宣布推出性能增强的7nm和5nm制造工艺

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Lacy 发表于 2019-7-31 10:53:53 | 显示全部楼层 |阅读模式

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  外媒报道称,台积电已经悄然推出了 7nm 深紫外(N7 / DUV)和 5nm 极紫外(N5 / EUV)制造工艺的性能增强版本。该公司的 N7P 和 N5P 技术,专为那些需要运行更快、消耗更少电量的客户而设计。尽管 N7P 与 N7 的设计规则相同,但新工艺优化了前端(FEOL)和中端(MOL)制程,可在同等功率下将性能提升 7%、或在同频下降低 10% 的功耗。

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  (图自:TSMC,via AnandTech)

  在日本举办的 2019 VLSI 研讨会上,台积电透露了哪些客户已经可以用上新工艺,但该公司似乎并没有广而告之的想法。

据悉,N7P 采用经过验证的深紫外(DUV)光刻技术。与 N7 相比,它没有增加晶体管的密度。

那些需要高出约 18~20% 晶体管密度的 TSMC 客户,预计需要使用台积电的 N7+ 和 N6 工艺 —— 后者使用极紫外(EUV)光刻技术进行多层处理。

 最后,尽管 N7 和 N6 都是未来几年的"长"节点,但台积电会在下一个 N5 节点带来显着的密度、功耗和性能改进。

同样,N5 之后也会迎来一个叫做 N5P 的增强版本,辅以 FEOL 和 MOL 优化,以便让芯片在相同功率下提升 7% 的性能、或在同频下降低 15% 的功耗。















原文链接:https://www.cnbeta.com/articles/tech/873497.htm
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fudashuai 发表于 2019-7-31 10:58:09 | 显示全部楼层

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啊?同时推出啊?!
别董大 发表于 2019-8-1 07:15:36 | 显示全部楼层

活跃 9822| 技术 0| 互助 0| 钻石 0

谢谢楼主的分享,辛苦啦
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