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[新资讯] SK海力士1Ynm DDR4芯片研制完成:8Gb容量、功耗减少15%

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Lacy 发表于 2018-11-12 14:44:45 | 显示全部楼层 |阅读模式


  11月12日消息,SK Hynix(SK海力士)宣布研发完成基于1Ynm工艺的8Gb(1GB)容量DDR4 DRAM芯片。

  该芯片最高支持3200Mbps,即3200MHz频率,号称可以提供最佳的性能和容量密度。

  技术指标方面,相较于1Xnm,1Ynm芯片的生产率提高了20%,功耗降低了15%.

  SK海力士还表示,新的1Ynm芯片还显着提高了传感器精准度、调整了晶体管结构,使得数据传输的出错率降低。

  官方称,1Ynm DDR4 DRAM芯片将于明年一季度出货,率先用于服务器和PC产品上,最后向手机等领域推广。

  科普:

  在存储芯片从20+nm进入10+nm工艺之后,厂商对工艺的描述已经不再使用具体的数字了,20nm之后是1x nm工艺,再往后则是1y nm工艺,还有1z nm工艺的说法,至于XYZ具体的含义,由于每家公司的工艺并不一样,所以缺少详细的解释。

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