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[新资讯] IMEC造出全球最小SRAM芯片:面积微缩24%,适用于5nm工艺

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Lacy 发表于 2018-5-29 14:37:43 | 显示全部楼层 |阅读模式


  地球上除了IBM、英特尔、台积电、三星具有强大的半导体工艺研发技术实力之外,比例微电子中心IMEC也是全球知名的半导体研发中心,国内的14nm FinFET工艺就是跟他们合作的。在新一代半导体工艺上,除了三星提及5nm及之后3nm工艺之外,其他家都没有具体的5nm、3nm工艺细节披露,IMEC上周则宣布了一项新的技术,制造了全球最小的SRAM芯片,面积缩小了24%,可适用于未来的5nm工艺。


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  由于结构更简单等原因,每一代新工艺中研发人员往往会使用SRAM芯片做试点,谁造出的SRAM芯片核心面积更小就意味着工艺越先进,此前的记录是三星在今年2月份的国际会议上宣布的6T 256Mb SRAM芯片,面积只有0.026mm2,不过IMEC上周联合Unisantis公司开发的新一代6T 256Mb SRAM芯片打破了这个记录,核心面积只有0.0184到0.0205mm2,相比三星的SRAM微缩了24%。

  面积能大幅缩小的原因就在于使用了新的晶体管结构,Unisantis与IMEC使用的是前者开发的垂直型环绕栅极(Surrounding Gate Transistor,简称SGT)结构,最小栅极距只有50nm.研究表明,与水平型GAA晶体管相比,垂直型SGT单元GAA晶体管面积能够缩小20-30%,同时在工作电压、漏电流及稳定性上表现更佳。

  目前IMEC正在跟Unisantis公司一起定制新工艺的关键工艺流程及步骤,通过一种新颖的工艺协同优化DTCO技术,研发人员就能使用50nm间距制造出0.0205mm2的SRAM单元,该工艺能够适用于未来的5nm工艺节点。

  此外,该工艺还能使用EUV光刻工艺,减少工艺步骤,从而使得设计成本与传统FinFET工艺相当。













原文链接:https://www.cnbeta.com/articles/tech/731211.htm

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