IT天空

 找回密码
 加入我们

手机号码,快捷登录

搜索

[新资讯] 东芝通过硅穿孔技术来提升3D NAND效率

[复制链接]
Lacy 发表于 2017-7-12 10:53:47 | 显示全部楼层 |阅读模式


  硬件发烧友们一直期待着更快、更实惠、更可靠的存储产品,而大型数据中心则更关注与能源效率。本文要为大家介绍的,就是东芝 BiCS 3D TLC NAND 闪存所使用的硅穿孔(TSV)技术。其声称可减少存储应用的功耗,同时保障低延时、高吞吐、以及企业级 SSD 的每瓦特高 IOPS .据外媒所述,这是当前业内首个推向市场的硅穿孔 NAND 闪存产品。

  0c52af758137c93.jpg


  TSV 是指垂直通过硅芯片的电气连接,东芝称这种制造方法有助于提升能源效率和带宽。与当前基于键合(wire-bonding)技术的闪存芯片相比,TSV BiCS 闪存芯片可带来两倍能效。

  它将堆叠的核心引脚连接了起来,尽管增加了一定的制造复杂度和成本,但最终价格还是可以比其它形式的 NAND 要便宜一些。目前 TSV 人多用于堆栈式 DRAM,比如 AMD 在 Fuji 和 Vega 高端桌面级显卡上所采用的 HBM 闪存。

  东芝初期将提供 512GB 和 1TB 容量、以及 1066 Mbps 的 TSV NAND 产品,大小为 14×18 mm .八层 512GB 芯片的厚度为 1.35 mm,而 16 层 1TB 的芯片厚度为 1.85 mm 。

  该公司称,它已于上月向制造合作伙伴出货基于 TSV 技术的 BiCS 3D TLC 闪存芯片,预计样品可在年底前出货。此外东芝也将于 8 月第二周在圣克拉拉举办的"2017 闪存峰会上"展示相关原型。














原文链接:http://www.cnbeta.com/articles/tech/630827.htm


最近访问 头像模式 列表模式
您需要登录后才可以回帖 登录 | 加入我们

本版积分规则

Lacy

22663

活跃

1

技术

6

互助
签到任务
最火的业界新闻
  • iPhone 8电池容量揭晓:与iPhone 6相差无几
  • DDR4快破千 内存价格一路疯涨:明年形势依
  • 华硕Chromebook Flip C101登陆美国市场:售
  • 英特尔Coffee Lake处理器到底有什么变化?
  • AMD 服务器处理器性能在十年内提升了40倍
  • 安全研究人员找到方法利用英特尔的 Managem
  • 马化腾要开医院了?企鹅医生和大企鹅双双否
  • 马云:不应再以制造业来推动经济增长 要拥
  • 传谷歌收购HTC手机相关业务:金额或为3.3亿
  • 一口气要发三款 华为Mate 10 Lite曝光:代
炫酷的硬件Show
  • 银欣FT02,双路E5工作站
  • 迟到的定制机箱小钢炮清理灰尘
  • 华擎X99E-ITX + 银欣ML06 装机记
  • 最强双路泰坦硬管水冷 制作流程
  • 乔思伯UMX1 Plus,小巧的家用综合主机
  • 分体水冷第二弹-Inwin 805 infinity
  • 第一次DIY硬管水冷~~
  • 樱桃MX6.0 青轴 机械键盘 开箱
  • 挑战极限,10.2L小钢炮装机秀
  • 挑战S大水冷,本坛最强水冷装备首秀,及制
有趣的美图分享
  • 长发公主的秘密
  • 能好好躺吗?老子以为你狗头掉了
  • 看不起!
  • 有孩子前VS有孩子后
  • 加班的程序员热个饭
  • 为民除害的小孩和他的小狗
  • 一转身真的是一“辈”子
  • 好大学与渣大学的区别
  • 狗狗的朋友圈
  • 破烂
关注官方微信
快速回复 返回顶部 返回列表