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[新资讯] SK海力士详细介绍自家的DDR5-6400内存规格

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Lacy 发表于 2019-2-27 10:24:07 | 显示全部楼层 |阅读模式


  在本周的国际固态电路会议上,SK 海力士详细披露了自家即将上市的 DDR5-6400 内存芯片的一些技术细节。该公司的 16 Gb DDR5 芯片的规模成本,导致其初期成本可能非常高昂。不过每平方毫米 DRAM 密度的增加,有望让 SK 海力士打造出相当经济的 8Gb DDR5 IC .SK 海力士描述道:这款 DDR5 内存采用了单颗 16Gb 的存储颗粒(32 & 8 banks 组成),工作电压 1.1V、传输速率 6400 MT/s 。

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  EETimes 报道称,其采用 SK 海力士的第二代 10nm 工艺制造(1y nm 技术 / 四金属层),封装尺寸为 76.22 平方毫米。

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  TechInsights 指出,海力士的 8Gb DDR4 内存,使用了第一代 21nm 制造工艺,封装尺寸也是 76 平方毫米。不过类似的 DDR5 产品,核心尺寸只有 53.6 平方毫米。

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  得益于存储密度的增加,SK 海力士有望为 PC 客户打造成本相对较低的 8Gb DDR5 芯片。此外,DDR5 DRAM 还能够带来更高的性能(更高的工作频率)。

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  为减少影响高频工作稳定性的时钟抖动和占空比失真,SK 海力士必须制作一套新的延迟锁定环(DLL)方案。该公司的选择,是采用相位旋转器和注入锁定振荡器。

  此外,该芯片还配备了可修正的前向反馈均衡(FFE)电路,以及全新的写入级别训练方法(同样支持更高频的时钟)。

















原文链接:https://www.cnbeta.com/articles/tech/822265.htm
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